Photo-induced Defects in Semiconductors

Redfield, David Bube, Richard H.

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Éditeur
Cambridge University Press
Pages
232
Parution
mars 2006
Format
Livre broché
Langue
Anglais
Dimensions
229 × 152 × 13 cm
EAN
9780521024457
  • Résumé

A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors.
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