Photo-induced Defects in Semiconductors

Redfield, David Bube, Richard H.

Ouvrage indisponible

Éditeur
Cambridge University Press
Pages
240
Parution
janvier 1996
Format
Cartonné
Langue
Anglais
Dimensions
228 × 152 × 19 cm
EAN
9780521461962
  • Résumé

A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors.
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